Ariswan, Dr., M.Si and Hari, Sutrisno and Rita, Prasetyowati (2015) PREPARASI DAN KARAKTERISASI BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(Se,S) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA. [Experiment/Research]
|
Text
PEN_UNGG_UNY_2015_COVER.pdf Download (115kB) | Preview |
|
|
Text
LAPORAN PENELITIAN_2015 DIPAUNY.pdf Download (2MB) | Preview |
Abstract
Penelitian ini secara umum bertujuan melakukan preparasi dan karakterisasi sambungan p-n dalam merealisasikan piranti sel surya. Piranti sel surya direalisasikan dengan dua bahan lapisan tipis yang masing- masing polikristalin. Realisasi Sel surya tersebut dirancang menggunakan teknik sambungan dua semikonduktor lapisan tipis SnSe yang memiliki tipe p dan lapisan tipis kedua adalah SnS atau CdS yang memiliki jenis pembawa muatan tipe n. Pada penelitian tahun pertama ini target khusus penelitian ini adalah berupa preparasi dan karakterisasi lapisan tipis SnSe dan SnS dengan teknik evaporasi termal. Riset ini dilakukan atas dasar pengalaman riset sebelumnya yaitu telah berhasil melakukan hal yang sama pada lapisan tipis Cd(Se,S). Karakterisasi yang dilakukan pada penelitian ini meliputi sifat- sifat listrik, sifat- sifat optik, struktur Kristal yang terbentuk pada lapisan tipis dan komposisi kimia serta merfologi permukaan bahan. Sifat- sifat listrik dan optik tersebut menjadi informasi penting dalam terapan bahan pada teknologi yang sesuai misalnya pada sel surya. Preparasi bahan semikonduktor lapisan tipis yang dihasilkan pertama- tama dari bentuk paduan SnSe dan SnS. Seperti telah disebutkan bahwa, penelitian ini lebih difokuskan pada studi material dalam bentuk lapisan tipis kedua bahan tersebut. Oleh karena itu sampel hasil preparasi selanjutnya dilakukan karakterisasi untuk mengetahui sifat fisis dari bahan tersebut. Pertama- tama Struktur kristal dan parameter kristal akan ditentukan menggunakan sinar-X yang dikenakan pada sampel, kemudian sinar mengalami difraksi sehingga teknik pengukuran ini dikenal dengan sebutan Difraksi Sinar- X (X - Ray Difraction (XRD). Selanjutnya sifat sifat optik yang dalam hal ini adalah lebar bandgap setiap sampel ditentukan dengan UV- VIS Spektroscopi dan sifat- sifat listrik kedua bahan yang dalam hal ini konduktivitas akan diketahui dengan teknik empat probe. Berikutnya komposisi kimia lapisan tipis akan ditentukan dengan teknik Energy Dispersive Analysis of X- Ray (EDAX) yang terintegrasi dengan teknik Scanning Electron Microscop (SEM) untuk menentukan bentuk morfologi permukaan sampel. Hasil karakterisasi tersebut menunjukkan bahwa lapisan SnSe dan SnS berbentuk polikristalin mengikuti system ortorombik dengan parameter kisi masing- masing a= 11,47 Å, b= 4,152 Å dan c = 4,439 Å untuk SnSe dan a= 4,317 Å , b= 11,647 Å dan c = 3,981 Å untuk SnS. Selanjutnya bandgap (Eg) baik SnSe maupun SnS ditentukan dengan UVVIS Spectroscopy memberikan hasil sebesar 2,58 eV untuk SnSe dan 2,9 eV untuk SnS. Komposisi Kimia yang telah ditentukan dengan Energy Dispersive analysis of X- Ray dan menghasilkan paduan non stoichiometri dengan komposiis kimia berturu- turut Sn : Se adalah 1;0,97 dan Sn : S adalah 1:0,85. Morfologi permukaan menggambarkan ukuran butir (grain) kristal pada lapisan tipis tersebut dan hasilnya tampak jelas berkisar antara 0,2 sampai 0,5 mikron. Temuan mengenai kuantitas fisis sangat diperlukan sehingga dapat diketahui bagaimana aplikasi bahan SnSe dan SnS pada teknologi khususnya pada sel surya berbasis selain silikon. Oleh karena itulah dapat dikatakan bahwa penelitian ini masih merupakan penelitian dasar yang membuthkan penelitian lanjutan untuk merealisasikan sel surya.
| Item Type: | Experiment/Research |
|---|---|
| Additional Information: | Laporan Penelitian Unggulan UNY 2015 |
| Subjects: | LPPM |
| Divisions: | LPPM - Lembaga Penelitian dan Pengabdian kepada Masyarakat |
| Depositing User: | LPPM UNY |
| Date Deposited: | 19 Jul 2016 05:23 |
| Last Modified: | 19 Jul 2016 05:23 |
| URI: | http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/36738 |
Actions (login required)
 |
View Item |