KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS CADMIUM SULFIDA (CdS) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK CLOSE SPACED VAPOR TRANSPORT (CSVT) UNTUK APLIKASI SEL SURYA

Ariswan, Ariswan (2013) KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS CADMIUM SULFIDA (CdS) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK CLOSE SPACED VAPOR TRANSPORT (CSVT) UNTUK APLIKASI SEL SURYA. Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan, dan Penerapan MIPA 2013. F15-F22.

[img]
Preview
Text
Artikel 7_2.pdf

Download (441kB) | Preview

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui struktur kristal dan sifat optik semikonduktor lapisan tipis Cadmium Sulfida (CdS) hasil preparasi dengan teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT). Proses pendeposisian lapisan tipis CdS dilakukan dalam reaktor vertikal yang telah divakumkan dengan memberikan jarak (spacer) antara substrat dan sumber sebesar 3 mm, serta pemanasan pada suhu 600℃. Hasil lapisan tipis dikarakterisasi menggunakan X-Ray Difraction(XRD) untuk menentukan struktur dan parameter kisi kristal yang terbentuk, menggunakan Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX) dan Scanning Electron Microscope (SEM) berturut- turut untuk mengetahui komposisi kima dan morfologi permukaan. Selanjutnya sifat optik dalam hal energi gap ditentukan dengan Spektrofotometer. Hasilnya menunjukkan bahwa lapisan tipis CdS yang terbentuk merupakan polikristal struktur heksagonal dengan parameter kisi: a =b= 4,1882 Å, c = 6,6053 Å, Sedangkan hasil EDAX menunjukkan bahwa perbandingan komposisi kimia unsur adalah non stoichiometri, kaya sekali dengan atom Cadmium(Cd). Perbandingan Cd dan S sebesar 17:1. Hasil SEM menunjukkan lapisan tipis yang dihasilkan mempunyai bentuk seragam dengan homogenitas warna pada seluruh permukaan dan analisis dengan spektrofotometer memberikan hasil bahwa energi gap CdS sebesar 2,4 eV.

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: Cadmium Sulfida(CdS), teknik preparasi CSVT., sel surya
Subjects: Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Depositing User: Dr. Ariswan Ariswan
Date Deposited: 29 May 2019 01:18
Last Modified: 29 May 2019 01:18
URI: http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/64047

Actions (login required)

View Item View Item