Rahmasari, Nabila and Dwandaru, WS. Brams (2017) KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS BAHAN C, SnO2 DAN C+SnO2 DITINJAU DARI NILAI HAMBATAN, UJI UV–VIS DAN XRD SEBAGAI MATERIAL TRASPARENT CONDUCTING OXIDE. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.
|
Text
Skripsi Full.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Penelitian ini bertujuan untuk 1) mengetahui nilai hambatan pada lapisan C, SnO2 dan C+SnO2 sebagai material TCO. 2) Mengetahui nilai absorbansi lapisan bahan C, SnO2 dan C+SnO2 berdasarkan UV-Vis . 3) Mengetahui karakter dari lapisan C, SnO2 dan C+SnO2 berdasarkan XRD. Metode yang digunakan dalam pembuatan lapisan C dilakukan dengan pengasapan. Pembuatan lapisan SnO2 dilakukan dengan pemanasan SnCl2. Pembuatan lapisan C+SnO2 dilakukan dengan menggabungkan kedua metode sebelumnya. Setelah pembuatan lapisan selesai dilakukan uji hambatan dengan menggunakan rangkaian peralel, uji nilai absorbansi dengan menggunakan spektrofotometer UV-Vis, dan pengujian dengan X-Ray diffraction untuk mengetahui karakter dari lapisan yang terbentuk. Hasil penelitian menunjukkan bahwa ada perbedaan karakter dari ketiga sampel lapisan yang dibuat. Pada pengujian hambatan menunjukan nilai 1,0769 mΩ untuk lapisan C; 1,0774 mΩ untuk lapisan SnO2; dan 3,8875 mΩ untuk lapisan C+SnO2. Pengujian UV-Vis menunjukkan nilai absorbansi lapisan bahan C, SnO2 dan C+SnO2 secara berturut – turut adalah 0,1496; 0,1818; dan 0,8163. Ketiga nilai absorbansi maksimal lapisan sampel berada pada daerah UV. Pengujian XRD yang dilakukan menunjukan bahwa lapisan C dan lapisan SnO2 merupakan amorf sedangkan lapisan C+SnO2 merupakan kristal.
| Item Type: | Thesis (S1) |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | lapisan tipis, karbon, SnO2, C+SnO2, hambatan, UV-Vis, XRD |
| Subjects: | Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika |
| Divisions: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika |
| Depositing User: | Admin Fisika FMIPA |
| Date Deposited: | 25 Oct 2017 01:27 |
| Last Modified: | 30 Jan 2019 15:26 |
| URI: | http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/53544 |
Actions (login required)
 |
View Item |