Tunita Ningrum, Vina Hentri and Ariswan, Ariswan (2017) STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.
|
Text
SKRIPSI full.pdf Download (2MB) | Preview |
Abstract
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat terhadap kualitas kristal, struktur kristal, dan parameter kisi kristal lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Penelitian ini juga bertujuan untuk mengetahui morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Proses preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan massa bahan 0,2 gram, tekanan vakum 4x10-5 mbar, dan spacer 15 cm dilakukan dengan memberikan variasi suhu substrat yaitu 250ºC, 300ºC, dan 350ºC. Hasil preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis. Hasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) yang terbentuk memiliki struktur kristal kubik. Nilai parameter kisi sampel 1 (suhu substrat 250ºC) a= 6,157 Å, sampel 2 (suhu substrat 300ºC) a= 6,157 Å, dan sampel 3 (suhu substrat 350ºC) a= 6,167 Å. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa morfologi permukaan dari lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) terusun atas butiran (grain) yang berbentuk bulat dan memiliki permukaan homogen terlihat dari bentuk, struktur, dan warna yang seragam, serta memiliki diameter rata-rata grain 0,1005 m. Hasil karakterisasi EDAX menunjukkan bahwa pada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) mengandung unsur Sn (Stannum), Se (Selenium), dan Te (Tellurium) dengan perbandingan persentase komposisi kimia yaitu Sn=51,20%, Se=22,64%, dan Te=26,16%, dengan perbandingan molaritas unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,44:0,51. Kata kunci: semikonduktor, lapisan tipisSn(Se0,4Te0,6), teknik evaporasi vakum
| Item Type: | Thesis (S1) |
|---|---|
| Subjects: | Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika |
| Divisions: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika |
| Depositing User: | Admin Fisika FMIPA |
| Date Deposited: | 24 Jul 2017 01:52 |
| Last Modified: | 30 Jan 2019 14:33 |
| URI: | http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/50935 |
Actions (login required)
 |
View Item |