Khoirunisa, Siti and Ariswan, Ariswan (2017) STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S0,8 Te0,2) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.
|
Text
SKRIPSI SITI KHOIRUNISA' (12306141014).pdf Download (6MB) | Preview |
Abstract
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh jarak spacer terhadap kualitas lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) dengan teknik evaporasi vakum. Penelitian ini juga bertujuan untuk mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan serta komposisi kimia lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Proses penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) menggunakan teknik evaporasi vakum dilakukan dengan memanaskan bahan masif Sn(S0,8Te,2) pada suhu tertentu dengan perbandingan molaritas 1:0,8:0,2. Dalam penelitian ini, penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) dibuat tiga sampel dengan memvariasikan jarak spacer yaitu 10 cm, 15 cm dan 25 cm. Lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur kristal dan parameter kisi kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-RD) untuk mengetahui komposisi kimia pada kristal. Variasi jarak spacer menyebabkan perbedaan kualitas lapisan tipis, yang ditandai dengan perbedaan puncak intensitas. Hasil karakterisasi XRD berupa difaktogram menunjukkan hasil bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) yang terbentuk berstruktur orthorhombik, dengan nilai parameter kisi pada Sampel I (spacer 10 cm) secara analitik : a = 8,932 ( ; b =3,926 ( ; c = 13,870 ( dan secara penghalusan a = 8,897 ( ; b =3,751 ( ; c = 14,070 ( . Sampel II (spacer 15 cm) secara analitik : a = 8,551 ( ; b =3,766 ( ; c = 14,659 ( .dan secara penghalusan a = 8,588 ( ; b =3,751 ( ; c = 13,907 ( . Sampel III (spacer 25 cm) secara analitik : a = 8,882 ( ; b =3,887 ( ; c = 14,077 ( .dan secara penghalusan a = 8,867 ( ; b =3,751 ( ; c = 14,010 ( . Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S0,8Te,2) yang terbentuk memiliki keseragaman bentuk dan warna butiran kecil-kecil serta sudah terbentuk grain dengan diameter rata-rata sebesar 7,75 nm serta hasil karakterisasi EDAX diperoleh perbandingan unsur Sn:S:Te yaitu 1: 0,80 : 0,14. Kata kunci: struktur kristal, morfologi permukaan, lapisan tipis, teknik evaporasi vakum, preparasi, spacer, komposisi kimia kristal Sn(S0,8Te,2)
| Item Type: | Thesis (S1) |
|---|---|
| Subjects: | Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika |
| Divisions: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika |
| Depositing User: | Admin Fisika FMIPA |
| Date Deposited: | 19 Apr 2017 08:06 |
| Last Modified: | 30 Jan 2019 13:51 |
| URI: | http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/48755 |
Actions (login required)
 |
View Item |