STUDI TENTANG STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0,6Te0,4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA

Setianingrum, Mahmudah and Ariswan, Ariswan (2016) STUDI TENTANG STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0,6Te0,4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.

[img]
Preview
Text
skripsi full.pdf

Download (29MB) | Preview

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap kualitas lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4), mengetahui struktur dan parameter kisi lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) dan untuk mengetahui morfologi permukaan, serta komposisi kimia lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) yang dipreparasi menggunakan teknik evaporasi vakum. Proses preparasi lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) dilakukan dengan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan 7 ×105 mbar dengan melakukan 3 variasi temperatur substrat, yaitu 250ºC, 300ºC dan 350ºC. Kemudian, ketiga sampel lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk mengetahui struktur kristal, Scanning Electron Microscopy (SEM) untuk mengetahui morfologi permukaan dan Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki struktur kristal orthorombik. Nilai parameter kisi sampel 1 (temperatur substrat 250ºC) adalah a = 4,30 Å, b = 10,4 Å dan c = 4,01 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300ºC) adalah a = 4,29 Å, b = 11,9 Å dan c = 4,19 Å, dan sampel 3 (temperatur substrat 350ºC) adalah a = 4,23 Å, b = 11,19 Å dan c = 4,03 Å. Hasil difraktogram menunjukkan bahwa variasi temperatur substrat menyebabkan adanya perbedaan intensitas puncak yang menyatakan keteraturan susunan atomatom penyusun lapisan tipis tersebut. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa struktur permukaan dari lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki butiran (grain) yang berbentuk lonjong dan memiliki permukaan yang homogen terlihat dari bentuk dan warna kristal yang seragam serta memiliki diameter rata-rata grain, 0,074 μm. Berdasarkan hasil karakterisasi EDS, pada preparasi semikonduktor Sn(S0,6Te0,4) memiliki perbandingan persentase komposisi kimia bahan dasarnya, yaitu unsur Sn = 51,87%, S = 28,41% dan Te = 19,72%. Perbandingan molaritas semikonduktor Sn : S : Te yaitu 1 : 0,55 : 0,38. Kata kunci: lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4), semikonduktor, evaporasi vakum

Item Type: Thesis (S1)
Subjects: Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Depositing User: Admin Fisika FMIPA
Date Deposited: 20 Jan 2017 01:15
Last Modified: 30 Jan 2019 12:54
URI: http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/46139

Actions (login required)

View Item View Item