STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

Wulandari, Eka (2016) STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.

[img]
Preview
Text
Abstrak.pdf

Download (15kB) | Preview

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) sebagai bahan semikonduktor dengan teknik evaporasi vakum. Peneliti dapat mengetahui pengaruh variasi spacer terhadap kualitas lapisan tipis dan juga mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan, dan komposisi kimia lapisan tipis. Proses preparasi lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) dilakukan dengan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan sekitar ~10-5 mbar dengan melakukan variasi jarak antara sumber dengan substrat atau variasi spacer. Spacer divariasi sebanyak 3 kali, yaitu 10 cm, 15 cm, dan 25 cm. Setelah didapatkan sampel lapisan tipis yang diinginkan, kemudian sampel dikarakterisasi dengan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) dari ketiga sampel memiliki struktur kristal kubik, dengan nilai parameter kisi sampel 1 (spacer 10 cm): a = 6,011 Å; sampel 2 (spacer 15 cm): a = 6,048 Å; sampel 3 (spacer 25 cm): a = 6,363 Å. Pemberian variasi spacer menyebabkan perbedaan kualitas pada sampel 1, 2, dan 3 yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spektrum. Hasil karakterisasi SEM pada kristal Sn(S0,4Te0,6) menunjukkan bahwa morfologi permukaan sampel berupa butiran/grain dengan ukuran ~0,2 μm dan bersifat homogen. Hasil analisis EDAX lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) mengandung unsur Sn = 54,54 %, S = 11,01 %, Te = 34,46 % dan perbandingan molaritas Sn:S:Te adalah 1,00:0,20:0,63. Kata kunci: teknik evaporasi vakum, lapisan tipis, semikonduktor Sn(S0,4Te0,6)

Item Type: Thesis (S1)
Subjects: Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Pendidikan Fisika
Depositing User: Admin Fisika FMIPA
Date Deposited: 27 Oct 2016 03:08
Last Modified: 06 Mar 2019 00:58
URI: http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/42840

Actions (login required)

View Item View Item