PREPARASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS SnS DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA

Kusumawati, Ira (2015) PREPARASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS SnS DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.

Text Ira Kusumawati 08 Oktober 2015.doc Download (75kB)

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat terhadap kualitas kristal lapisan tipis SnS hasil preparasi dengan metode evaporasi vakum. Penelitian ini juga bertujuan untuk mengetahui morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis SnS hasil preparasi dengan metode evaporasi vakum. Proses preparasi lapisan tipis SnS dilakukan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan 2x10-5 mbar dengan melakukan variasi suhu substrat. Suhu substrat divariasi sebanyak 4 kali, yaitu tanpa pemanas substrat, 200oC, 300oC, dan 450oC. Setelah sampel lapisan tipis dihasilkan, kemudian sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa keempat sampel memiliki struktur kristal orthorhombik dengan parameter kisi sampel 1 (tanpa pemanas substrat): a = 4,203 Å, b = 11,070 Å, c = 4,169 Å, sampel 2 (suhu 200oC): a = 4,317 Å, b = 11,647 Å, c = 3,981 Å, sampel 3 (suhu 300oC): a = 4,226 Å, b = 11,165 Å, c = 4,870 Å, sampel 4 (suhu 450oC): a = 4,334 Å, b = 11,200 Å, c = 3,987 Å. Variasi suhu menyebabkan ada perbedaan kualitas lapisan tipis antara sampel 1, 2, 3, dan 4 yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spektrum. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan morfologi permukaan sampel yang terdiri atas butiran/grain berbentuk balok bersiku dengan ukuran 0,1-0,5 µm dan homogen. Berdasarkan hasil EDAX, lapisan tipis SnS mengandung unsur Sn dan S dengan persentase komposisi kimia Sn = 55% dan S = 45 %. Perbandingan molaritas Sn:S adalah 1: 0,8. Kata kunci: lapisan tipis, semikonduktor SnS, metode evaporasi, sel surya

Item Type:	Thesis (S1)
Subjects:	Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
Divisions:	Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Depositing User:	Admin Fisika FMIPA
Date Deposited:	09 Nov 2015 09:04
Last Modified:	30 Jan 2019 05:19
URI:	http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/28088

Actions (login required)

View Item