PENGARUH VARIASI TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR PbSe LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

Fatias Maharani, Iin Zuchaina (2015) PENGARUH VARIASI TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR PbSe LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM. S1 thesis, Universitas Negeri Yogyakarta.

[img] Text
iin zuchaina_22 september 2015.doc

Download (71kB)

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan tipis PbSe dengan teknik evaporasi vakum untuk mengetahui adanya pengaruh variasi temperatur substrat terhadap parameter kisi kristal dan untuk mempelajari karakteristik lapisan tipis PbSe sebagai bahan semikonduktor yang meliputi karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan dan komposisi kimia. Preparasi lapisan tipis PbSe dilakukan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan ~10-5 mbar dengan melakukan variasi temperatur substrat. Temperatur substrat divariasi sebanyak 4 kali, yaitu tanpa pemanas, suhu 250oC, suhu 350oC, dan suhu 500oC. Setelah sampel lapisan tipis dihasilkan, kemudian sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa keempat sampel memiliki struktur kristal kubik pusat muka (face center cubic) dengan parameter kisi sampel 1 (tanpa pemanas): a = 6,216 Å, sampel 2 (suhu 250oC): a = 6,232 Å dan sampel 3 (suhu 350oC): a = 6,218 Å, sampel 4 (suhu 500oC): a = 6,228 Å. Variasi temperatur substrat menyebabkan adanya perbedaan kualitas lapisan tipis antara sampel 1, 2, 3, dan 4 yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spektrum. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan morfologi permukaan sampel yang terdiri atas butiran atau grain berbentuk keping persegi dengan ukuran antara 0,1 µm sampai 0,5 µm dan homogen. Berdasarkan hasil EDAX, lapisan tipis PbSe mengandung unsur kaya akan Pb dan miskin Se dengan persentase komposisi kimia Pb=64,08% dan Se=35,92%. Perbandingan molaritas Pb:Se adalah 1:0,56. Kata kunci: lapisan tipis, variasi temperatur substrat, semikonduktor PbSe, metode evaporasi vakum.

Item Type: Thesis (S1)
Subjects: Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Depositing User: Admin Fisika FMIPA
Date Deposited: 09 Nov 2015 09:04
Last Modified: 30 Jan 2019 05:19
URI: http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/28087

Actions (login required)

View Item View Item