Putut, Marwoto and Sugianto and Sulhadi (2007) Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Dengan Doping Eu (5%). Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007. ISSN 978-979-99314-2-9
|
Text
17_Putut_Marwoto.pdf Download (746kB) | Preview |
Abstract
Dalam penelitian ini, telah dikaji sifat optic film tipis Ga2 O3:Eu (5%) yang ditumbuhkan dengan menggunakan reaktor DC unbalanced magnetron sputtering (home made). Dari hasil karakterisasi UV-nir, dapat ditunjukkan bahwa kehadiran doping Eu (5%) telah menurunkan reflektansi film. Kondisi ini sesuai dengan citra SEM, yang menunjukkan bahwa film dengan doping Eu (5%) mempunyai struktur morfologi yang kasar. Dari hasil karakterisasi dengan UV-nir juga diperoleh optical bandgap film Ga2O3 sebesar 3,4 eV dan tidak dipengaruhi oleh kehadiran doping Eu(5%). Kehadiran Eu(5%) pada Ga2O3 telah meningkatkan intensitas fotoluminisensi tetapi tidak berpengaruh secara signifikan pada puncak spektrum fotoluminisens film Ga2O3 (~600 nm). Kata kunci: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi
Item Type: | Article |
---|---|
Additional Information: | Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran, Gunungpati Semarang50229 Telp/Fax: 024-8508034 |
Uncontrolled Keywords: | Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi |
Subjects: | Prosiding > Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007 |
Divisions: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika |
Depositing User: | Eprints |
Date Deposited: | 24 Feb 2015 03:27 |
Last Modified: | 06 Mar 2019 00:42 |
URI: | http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/12098 |
Actions (login required)
![]() |
View Item |