Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Dengan Doping Eu (5%)

Putut, Marwoto and Sugianto and Sulhadi (2007) Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Dengan Doping Eu (5%). Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007. ISSN 978-979-99314-2-9

Preview

Text 17_Putut_Marwoto.pdf Download (746kB) | Preview

Abstract

Dalam penelitian ini, telah dikaji sifat optic film tipis Ga2 O3:Eu (5%) yang ditumbuhkan dengan menggunakan reaktor DC unbalanced magnetron sputtering (home made). Dari hasil karakterisasi UV-nir, dapat ditunjukkan bahwa kehadiran doping Eu (5%) telah menurunkan reflektansi film. Kondisi ini sesuai dengan citra SEM, yang menunjukkan bahwa film dengan doping Eu (5%) mempunyai struktur morfologi yang kasar. Dari hasil karakterisasi dengan UV-nir juga diperoleh optical bandgap film Ga2O3 sebesar 3,4 eV dan tidak dipengaruhi oleh kehadiran doping Eu(5%). Kehadiran Eu(5%) pada Ga2O3 telah meningkatkan intensitas fotoluminisensi tetapi tidak berpengaruh secara signifikan pada puncak spektrum fotoluminisens film Ga2O3 (~600 nm). Kata kunci: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi

Item Type:	Article
Additional Information:	Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran, Gunungpati Semarang50229 Telp/Fax: 024-8508034
Uncontrolled Keywords:	Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi
Subjects:	Prosiding > Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007
Divisions:	Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) > Pendidikan Fisika > Fisika
Depositing User:	Eprints
Date Deposited:	24 Feb 2015 03:27
Last Modified:	06 Mar 2019 00:42
URI:	http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/12098

Actions (login required)

View Item