Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Dengan Doping Eu (5%)

Putut, Marwoto and Sugianto, and Sulhadi, (2007) Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Dengan Doping Eu (5%). Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007. ISSN 978-979-99314-2-9

[img]
Preview
Text
17_Putut_Marwoto.pdf

Download (746kB) | Preview
Official URL: http://fmipa.uny.ac.id

Abstract

Dalam penelitian ini, telah dikaji sifat optic film tipis Ga2 O3:Eu (5%) yang ditumbuhkan dengan menggunakan reaktor DC unbalanced magnetron sputtering (home made). Dari hasil karakterisasi UV-nir, dapat ditunjukkan bahwa kehadiran doping Eu (5%) telah menurunkan reflektansi film. Kondisi ini sesuai dengan citra SEM, yang menunjukkan bahwa film dengan doping Eu (5%) mempunyai struktur morfologi yang kasar. Dari hasil karakterisasi dengan UV-nir juga diperoleh optical bandgap film Ga2O3 sebesar 3,4 eV dan tidak dipengaruhi oleh kehadiran doping Eu(5%). Kehadiran Eu(5%) pada Ga2O3 telah meningkatkan intensitas fotoluminisensi tetapi tidak berpengaruh secara signifikan pada puncak spektrum fotoluminisens film Ga2O3 (~600 nm). Kata kunci: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi

Item Type: Article
Additional Information: Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran, Gunungpati Semarang50229 Telp/Fax: 024-8508034
Uncontrolled Keywords: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi
Subjects: Prosiding > Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007
Divisions: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Jurusan Pendidikan Fisika
Depositing User: Eprints
Date Deposited: 24 Feb 2015 03:27
Last Modified: 24 Feb 2015 03:27
URI: http://eprints.uny.ac.id/id/eprint/12098

Actions (login required)

View Item View Item