%A Riyan Bahtiar
%A Ariswan Ariswan
%X Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Penelitian ini juga bertujuan mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.
Teknik evaporasi vakum digunakan pada proses penumbuhan lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) dengan lama pemvakuman ruang evaporasi 4 jam. Variasi temperatur substrat pada evaporator sebesar 215℃, 350℃, dan 500℃ diterapkan pada proses penumbuhan lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8). Lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) yang diperoleh dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, Scanning Electron Microscopy (SEM) untuk mengetahui morfologi permukaan dan Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) untuk mengetahui komposisi kimia kristal.
Hasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa variasi temperatur substrat menyebabkan adanya perbedaan intensitas puncak yang menyatakan keteraturan susunan atom dalam penyusunan lapisan tipis. Lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) pada variasi temperatur substrat 350℃ memiliki struktur kristal terbaik. Kristal pada lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8) yang terbentuk mempunyai struktur kubik, dengan nilai parameter kisi pada sampel 1 temperatur substrat 215℃
%K struktur kristal, lapisan tipis Cd(S0,2Te0,8), teknik evaporasi vakum
%L UNY65287
%T PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT PADA LAPISAN TIPIS Cd(S0,2Te0,8) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA
%D 2019
%I FMIPA