TY  - JOUR
KW  - fotovoltaik
KW  -  Heksagonal
KW  -  sel surya
ID  - UNY64048
SN  - 0853-0823
Y1  - 2013/03/23/
N2  - Penelitian ini secara umum bertujuan untuk melakukan preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor lapisan tipis CdSe dengan teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT). Hasil preparasi selanjutnya dikarakterisasi untuk mengetahui struktur kristal menggunakan X-Ray Diffraction (XRD), sedangkan komposisi kimia dan morfologi permukaan diketahui dengan sistem terintegrasi Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) dan Scanning Electron Microscope (SEM), selanjutnya energy gap ditentukan dengan spektrofotometer. Hasilnya menunjukkan bahwa lapisan tipis berbentuk polikristal dalam sistem Heksagonal dengan parameter kisi a=b= 4,289 Å dan c = 7,032 Å. Seluruh permukaan bahan memiliki warna homogen dan hasil EDS menunjukkan bahwa komposisi kimia non stoichiometri kaya cadmium dengan perbandingan Cd/Se adalah 100/44 serta Energi gap CdSe diperoleh sebesar 1,65 eV.
EP  - 102
A1  - Ariswan, Ariswan
PB  - Himpunan Fisika Indonesia Cabang Jateng & DIY
SP  - 97
TI  - Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya
AV  - public
UR  - http://eprints.uny.ac.id/64048/
JF  - Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY
ER  -