TY  - THES
TI  - SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR S?(S?,?Te?,?), S?(S?,?Te?,?), DAN S?(S?,?Te?,?) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL UNTUK APLIKASI SEL SURYA
PB  - FMIPA
A1  - Fatmasari, Kurnia
A1  - Sujitno, Tjipto
AV  - public
ID  - UNY56669
KW  - Sifat listrik
KW  -  sifat optik
KW  -  lapisan tipis
KW  -  semikonduktor
Y1  - 2018/04/12/
UR  - http://eprints.uny.ac.id/56669/
M1  - skripsi
N2  - Penelitian ini bertujuan untuk mengetahuisifat listrik dan optik S?(S?,?Te?,?), S?(S?,?Te?,?), dan S?(S?,?Te?,?) dengan teknik evaporasi termal untuk aplikasi sel surya.

Untuk tujuan ini, telah dilakukan preparasi lapisan tipis S?(S?,?Te?,?), S?(S?,?Te?,?), dan S?(S?,?Te?,?) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan substrat kaca pada tekanan 2×10?? mbar, dan jarak crucible ke substrat adalah 10 cm. Sifat listrik telah dianalisis dengan menggunakan metode probe empat titik (FPP) 5000 dan sifat optik menggunakan UV-Vis Spectrophotometer.

Hasil penelitian menunjukkan resistivitas slice rerata dari lapisan tipis S?(S?,?Te?,?) adalah 4,92 (?.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P, untuk lapisan tipis S?(S?,?Te?,?), resistivitas slice reratanya adalah 0,586 (?.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P. Untuk lapisan tipis S?(S?,?Te?,?), resistivitas slice reratanya 1,035×10?² (?.cm) dan tipe konduktansinya adalah tipe P. Dari pengamatan sifat optik menggunakan Spektrofotometer Lambda 25 UV-Vis dan setelah dihitung dengan menggunakan metode taue plot, band gap lapisan tipis dapat dihitung dengan menggunakan Software Ms.Origin 6.1. Hasil analisis menunjukkan bahwa band gap S?(S?,?Te?,?) adalah 0,96eV dan untuk S?(S?,?Te?,?) <1,5eV.
ER  -