%0 Thesis
%9 S1
%A Fatmasari, Kurnia
%A Sujitno, Tjipto
%B Fisika
%D 2018
%F UNY:56669
%I FMIPA
%K Sifat listrik, sifat optik, lapisan tipis, semikonduktor
%T SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sₙ(S₀,₅Te₀,₅), Sₙ(S₀,₄Te₀,₆), DAN Sₙ(S₀,₂Te₀,₈) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL UNTUK APLIKASI SEL SURYA
%U http://eprints.uny.ac.id/56669/
%X Penelitian ini bertujuan untuk mengetahuisifat listrik dan optik Sₙ(S₀,₅Te₀,₅), Sₙ(S₀,₄Te₀,₆), dan Sₙ(S₀,₂Te₀,₈) dengan teknik evaporasi termal untuk aplikasi sel surya.    Untuk tujuan ini, telah dilakukan preparasi lapisan tipis Sₙ(S₀,₅Te₀,₅), Sₙ(S₀,₄Te₀,₆), dan Sₙ(S₀,₂Te₀,₈) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan substrat kaca pada tekanan 2×10⁻⁵ mbar, dan jarak crucible ke substrat adalah 10 cm. Sifat listrik telah dianalisis dengan menggunakan metode probe empat titik (FPP) 5000 dan sifat optik menggunakan UV-Vis Spectrophotometer.    Hasil penelitian menunjukkan resistivitas slice rerata dari lapisan tipis Sₙ(S₀,₅Te₀,₅) adalah 4,92 (Ω.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P, untuk lapisan tipis Sₙ(S₀,₄Te₀,₆), resistivitas slice reratanya adalah 0,586 (Ω.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P. Untuk lapisan tipis Sₙ(S₀,₂Te₀,₈), resistivitas slice reratanya 1,035×10⁻² (Ω.cm) dan tipe konduktansinya adalah tipe P. Dari pengamatan sifat optik menggunakan Spektrofotometer Lambda 25 UV-Vis dan setelah dihitung dengan menggunakan metode taue plot, band gap lapisan tipis dapat dihitung dengan menggunakan Software Ms.Origin 6.1. Hasil analisis menunjukkan bahwa band gap Sₙ(S₀,₅Te₀,₅) adalah 0,96eV dan untuk Sₙ(S₀,₄Te₀,₆) <1,5eV.