@phdthesis{UNY56669, title = {SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR S?(S{$_0$},{$_5$}Te{$_0$},{$_5$}), S?(S{$_0$},{$_4$}Te{$_0$},{$_6$}), DAN S?(S{$_0$},{$_2$}Te{$_0$},{$_8$}) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL UNTUK APLIKASI SEL SURYA}, author = {Kurnia Fatmasari and Tjipto Sujitno}, month = {April}, year = {2018}, school = {FMIPA}, keywords = {Sifat listrik, sifat optik, lapisan tipis, semikonduktor}, url = {http://eprints.uny.ac.id/56669/}, abstract = {Penelitian ini bertujuan untuk mengetahuisifat listrik dan optik S?(S{$_0$},{$_5$}Te{$_0$},{$_5$}), S?(S{$_0$},{$_4$}Te{$_0$},{$_6$}), dan S?(S{$_0$},{$_2$}Te{$_0$},{$_8$}) dengan teknik evaporasi termal untuk aplikasi sel surya. Untuk tujuan ini, telah dilakukan preparasi lapisan tipis S?(S{$_0$},{$_5$}Te{$_0$},{$_5$}), S?(S{$_0$},{$_4$}Te{$_0$},{$_6$}), dan S?(S{$_0$},{$_2$}Te{$_0$},{$_8$}) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan substrat kaca pada tekanan 2{$\times$}10{$^-$}{$^5$} mbar, dan jarak crucible ke substrat adalah 10 cm. Sifat listrik telah dianalisis dengan menggunakan metode probe empat titik (FPP) 5000 dan sifat optik menggunakan UV-Vis Spectrophotometer. Hasil penelitian menunjukkan resistivitas slice rerata dari lapisan tipis S?(S{$_0$},{$_5$}Te{$_0$},{$_5$}) adalah 4,92 (?.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P, untuk lapisan tipis S?(S{$_0$},{$_4$}Te{$_0$},{$_6$}), resistivitas slice reratanya adalah 0,586 (?.cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P. Untuk lapisan tipis S?(S{$_0$},{$_2$}Te{$_0$},{$_8$}), resistivitas slice reratanya 1,035{$\times$}10{$^-$}? (?.cm) dan tipe konduktansinya adalah tipe P. Dari pengamatan sifat optik menggunakan Spektrofotometer Lambda 25 UV-Vis dan setelah dihitung dengan menggunakan metode taue plot, band gap lapisan tipis dapat dihitung dengan menggunakan Software Ms.Origin 6.1. Hasil analisis menunjukkan bahwa band gap S?(S{$_0$},{$_5$}Te{$_0$},{$_5$}) adalah 0,96eV dan untuk S?(S{$_0$},{$_4$}Te{$_0$},{$_6$}) {\ensuremath{<}}1,5eV.} }