%X Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat
terhadap kualitas kristal, struktur kristal, dan parameter kisi kristal lapisan
tipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Penelitian
ini juga bertujuan untuk mengetahui morfologi permukaan dan komposisi
kimia lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi
vakum.
Proses preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) menggunakan teknik evaporasi
vakum dengan massa bahan 0,2 gram, tekanan vakum 4x10-5 mbar, dan spacer
15 cm dilakukan dengan memberikan variasi suhu substrat yaitu 250ºC,
300ºC, dan 350ºC. Hasil preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) kemudian
dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui
struktur kristal lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk
mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive
Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis.
Hasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa kristal
pada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) yang terbentuk memiliki struktur kristal
kubik. Nilai parameter kisi sampel 1 (suhu substrat 250ºC) a= 6,157 Å, sampel
2 (suhu substrat 300ºC) a= 6,157 Å, dan sampel 3 (suhu substrat 350ºC) a=
6,167 Å. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa morfologi permukaan
dari lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) terusun atas butiran (grain) yang berbentuk
bulat dan memiliki permukaan homogen terlihat dari bentuk, struktur, dan
warna yang seragam, serta memiliki diameter rata-rata grain 0,1005 m. Hasil
karakterisasi EDAX menunjukkan bahwa pada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6)
mengandung unsur Sn (Stannum), Se (Selenium), dan Te (Tellurium) dengan
perbandingan persentase komposisi kimia yaitu Sn=51,20%, Se=22,64%, dan
Te=26,16%, dengan perbandingan molaritas unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,44:0,51.
Kata kunci: semikonduktor, lapisan tipisSn(Se0,4Te0,6), teknik evaporasi
vakum
%T STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP
KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL
PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
%A Vina Hentri Tunita Ningrum
%A Ariswan Ariswan
%D 2017
%I Universitas Negeri Yogyakarta
%L UNY50999