<> "The repository administrator has not yet configured an RDF license."^^ . <> . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM"^^ . "Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat\r\nterhadap kualitas kristal, struktur kristal, dan parameter kisi kristal lapisan\r\ntipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. Penelitian\r\nini juga bertujuan untuk mengetahui morfologi permukaan dan komposisi\r\nkimia lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) hasil preparasi dengan teknik evaporasi\r\nvakum.\r\nProses preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) menggunakan teknik evaporasi\r\nvakum dengan massa bahan 0,2 gram, tekanan vakum 4x10-5 mbar, dan spacer\r\n15 cm dilakukan dengan memberikan variasi suhu substrat yaitu 250ºC,\r\n300ºC, dan 350ºC. Hasil preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) kemudian\r\ndikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui\r\nstruktur kristal lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk\r\nmengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive\r\nAnalysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis.\r\nHasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa kristal\r\npada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) yang terbentuk memiliki struktur kristal\r\nkubik. Nilai parameter kisi sampel 1 (suhu substrat 250ºC) a= 6,157 Å, sampel\r\n2 (suhu substrat 300ºC) a= 6,157 Å, dan sampel 3 (suhu substrat 350ºC) a=\r\n6,167 Å. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa morfologi permukaan\r\ndari lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) terusun atas butiran (grain) yang berbentuk\r\nbulat dan memiliki permukaan homogen terlihat dari bentuk, struktur, dan\r\nwarna yang seragam, serta memiliki diameter rata-rata grain 0,1005 m. Hasil\r\nkarakterisasi EDAX menunjukkan bahwa pada lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6)\r\nmengandung unsur Sn (Stannum), Se (Selenium), dan Te (Tellurium) dengan\r\nperbandingan persentase komposisi kimia yaitu Sn=51,20%, Se=22,64%, dan\r\nTe=26,16%, dengan perbandingan molaritas unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,44:0,51.\r\nKata kunci: semikonduktor, lapisan tipisSn(Se0,4Te0,6), teknik evaporasi\r\nvakum"^^ . "2017-07-11" . . . "Universitas Negeri Yogyakarta"^^ . . . "FISIKA, Universitas Negeri Yogyakarta"^^ . . . . . . . . . . . . "Vina Hentri"^^ . "Tunita Ningrum"^^ . "Vina Hentri Tunita Ningrum"^^ . . "Ariswan"^^ . "Ariswan"^^ . "Ariswan Ariswan"^^ . . . . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Text)"^^ . . . "SKRIPSI full.pdf"^^ . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Other)"^^ . . . . . . "indexcodes.txt"^^ . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Other)"^^ . . . . . . "lightbox.jpg"^^ . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Other)"^^ . . . . . . "preview.jpg"^^ . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Other)"^^ . . . . . . "medium.jpg"^^ . . . "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP\r\nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL\r\nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM (Other)"^^ . . . . . . "small.jpg"^^ . . "HTML Summary of #50999 \n\nSTUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP \nKUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL \nPREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM\n\n" . "text/html" . . . "Fisika"@en . .