TY  - THES
Y1  - 2017/06/09/
ID  - UNY50804
AV  - public
PB  - Universitas Negeri Yogyakarta
TI  - PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se0,6Te0,4) DENGAN TEKNIK BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
A1  - Astarinugrahini, Iin
A1  - Ariswan, Ariswan
N2  - Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi waktu pemanasan terhadap struktur kristal, morfologi permukaan dan komposisi kimia bahan semikonduktor Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk.
Teknik yang digunakan dalam proses penumbuhan kristal pada penelitian ini adalah teknik Bridgman. Adapun dalam penumbuhan kristal digunakan bahan Sn, Se, dan Te dengan perbandingan molaritasnya 1 : 0,6 : 0,4. Penumbuhan kristal Sn(Se0,6Te0,4) dilakukan dengan variasi waktu pemanasan. Untuk sampel I, pada temperatur 3500C adalah 480 menit (8 jam) menit dan pada temperatur 6000C adalah 360 menit (6 jam). Pada sampel II, pada temperatur 3500C adalah 1380 menit (23 jam) dan pada temperatur 6000C adalah 360 menit (6 jam), sedangkan pada sampel III, pada temperatur 3500C adalah 1500 menit (25 jam) dan pada temperatur 6000C adalah 720 menit (12 jam). Kristal yang terbentuk kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD untuk menentukan struktur kristal dan parameter kisi, SEM untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDS untuk mengetahui komposisi kimia pada kristal.
Hasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa bahan Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk merupakan polikristal dengan stuktur orthorombic, dengan parameter kisi untuk waktu pemanasan pada sampel I adalah a = 11,17 Å, b = 4,306 Å, dan c = 4,444 Å, pada sampel II adalah a = 11,648 Å, b = 4,285 Å, dan c = 4,423 Å, dan pada sampel III adalah a = 11,49 Å, b = 4,010 Å, dan c = 4,50 Å. Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa kristal pada bahan Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk memiliki keseragaman bentuk serta sudah terbentuk grain dan hasil EDS pada sampel I diperoleh perbandingan unsur Sn: Se: Te yaitu 1: 0,82: 0,17, sedangkan pada sampel III diperoleh perbandingan unsur Sn: Se: Te yaitu 1: 0,14: 0,6.
Kata kunci: stuktur kristal, Semikonduktor, teknik Bridgman, waktu pemanasan.
M1  - skripsi
UR  - http://eprints.uny.ac.id/50804/
ER  -