TY  - UNPB
UR  - http://eprints.uny.ac.id/14568/
M1  - skripsi
N2  - Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(Se?,?S?,?)
dengan metode evaporasi. Peneliti dapat mengetahui pengaruh variasi spacer
terhadap struktur, parameter kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia
lapisan tipis Sn(Se?,?S?,?).

Proses preparasi lapisan tipis Sn(Se?,?S?,?) dilakukan dengan menggunakan
metode evaporasi yang bekerja pada tekanan sekitar 2 x 10-5 mbar. Proses
pendeposisian lapisan tipis Sn(Se?,?S?,?) dilakukan dengan memberikan spacer
antara substrat dengan sumber yaitu 25 cm, 15 cm, dan 10 cm. Proses
karakterisasi dilakukan menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk
menentukan struktur dan parameter kisi lapisan tipis, Scanning Electron
Microscopy (SEM) untuk menentukan morfologi permukaan lapisan tipis dan
Energy Dispersive Analysis X-Ray (EDAX) untuk menentukan komposisi lapisan
tipis. 

Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(Se?,?S?,?)
merupakan polikristal dan memiliki struktur kristal orthorombik, dengan nilai
parameter kisi sampel 1 (spacer 25 cm): a = 4,306 Å, b = 11,30 Å, c = 4,139 Å;
sampel 2 (spacer 15 cm): a = 4,286 Å, b = 11,18 Å, c = 4,123 Å; sampel 3
(spacer 10 cm): a = 4,301 Å, b = 11,30 Å, c = 4,143 Å. Hasil karakterisasi SEM
pada Sn(Se?,?S?,?) sampel 2 menunjukkan bahwa morfologi permukaan sampel
terdiri atas butiran/grain berbentuk keping lonjong, dengan ukuran diameter
butiran pada permukaan kristal sekitar 0,3 µm - 0,5 µm dan homogen. Hasil
analisis EDAX, kristal Sn(Se?,?S?,?) menunjukkan perbandingan persentase
komposisi kimia lapisan tipis yaitu 1 : 0,11 : 0,79.
A1  - Utomo, Joko
TI  - STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR
Sn(Se0,2S0,8) LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM
EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
PB  - Universitas Negeri Yogyakarta
AV  - public
ID  - UNY14568
Y1  - 2014/07/11/
ER  -