%0 Journal Article
%@ 978-979-96880-5-7
%A Putut, Marwoto
%A Ng. Made, D.P.
%A Agus, Yulianto
%A Sugianto, -
%A Sunarno, -
%D 2009
%F UNY:12248
%J Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan, dan Penerapan MIPA 2009
%K Ga2O3:Mn, magnetron sputtering, struktur morfologi, fotoluminisensi
%T STRUKTUR MORFOLOGI DAN FOTOLUMINISENSI FILM TIPIS Ga2O3:Mn
%U http://eprints.uny.ac.id/12248/
%X Telah ditumbuhkan film tipis Ga2O3 yang didoping Mn 5% fraksi mol (Ga2O3:Mn) dengan menggunakan metode DC Magnetron sputtering. Film ditumbuhkan di atas substrat silikon pada suhu 600oC, tekanan gas argon 550 mtorr dan daya plasma masing-masing 25, 30 dan 35 watt. Karakterisasi dengan SEM menunjukkan bahwa peningkatan daya plasma telah meningkatkan ukuran butir (grain size) yang lebih tinggi. Hasil karakterisasi dengan spektrometer fotoluminisensi menunjukkan bahwa film tipis Ga2O3:Mn (5%) memancarkan emisi pada warna hijau dengan puncak yang kuat ~ 490 nm. Dari eksperimen dapat ditunjukkan bahwa peningkatan daya plasma dapat meningkatkan intensitas fotoluminisensi.