%O Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negeri Semarang
Kampus Sekaran, Gunungpati Semarang50229
Telp/Fax: 024-8508034
%K Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi
%A Marwoto Putut
%A Sugianto
%A Sulhadi
%X Dalam penelitian ini, telah dikaji sifat optic film tipis Ga2 O3:Eu (5%) yang
ditumbuhkan dengan menggunakan reaktor DC unbalanced magnetron sputtering (home made).
Dari hasil karakterisasi UV-nir, dapat ditunjukkan bahwa kehadiran doping Eu (5%) telah
menurunkan reflektansi film. Kondisi ini sesuai dengan citra SEM, yang menunjukkan bahwa film
dengan doping Eu (5%) mempunyai struktur morfologi yang kasar. Dari hasil karakterisasi dengan
UV-nir juga diperoleh optical bandgap film Ga2O3 sebesar 3,4 eV dan tidak dipengaruhi oleh
kehadiran doping Eu(5%). Kehadiran Eu(5%) pada Ga2O3 telah meningkatkan intensitas
fotoluminisensi tetapi tidak berpengaruh secara signifikan pada puncak spektrum fotoluminisens
film Ga2O3 (~600 nm).
Kata kunci: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi
%L UNY12098
%T Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida
Dengan Doping Eu (5%)
%I Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam UNY
%J Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan dan Penerapan MIPA 2007
%D 2007